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タイトル: MOSFET における極薄酸化膜のトンネル電流と酸化膜遷移層の考察
その他のタイトル: Tunneling Current through Ultra-Thin SiO2 Layer and Study of Transition Layer in MOSFET
著者: 今井, 康人
山本, 弘明
IMAI, Yasuto
YAMAMOTO, Hiroaki
キーワード: Tunncling current density / Ultra-thin SiO2 layer / Transition layer between SiO2 and Si
発行日: 31-3月-2007
掲載誌: 福井大学大学院工学研究科研究報告
巻: 55
資料タイプ: Departmental Bulletin Paper
引用: 福井大学大学院工学研究科研究報告,55,2007,p.107-113
URI: http://hdl.handle.net/10098/927
ISSN: 04298373
出現コレクション:第55巻(2007-03)

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