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タイトル: Thick (~1 mm) p-type In x Ga 1–x N(x ~ 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570 8C)
著者: Yamamoto, A.
Hasan, T. Md.
Kodama, K.
Shigekawa, N.
Kuzuhara, M.
キーワード: InGaN
annealing
doping
MOVPE
発行日: 17-2月-2015
出版者: WILEY-VCH
掲載誌: Physica Status Solidi B
資料タイプ: Journal Article
URI: http://hdl.handle.net/10098/8721
ISSN: 0370-1972
出現コレクション:01 雑誌等掲載論文

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