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タイトル: AlN/AlGaN HEMTs on AlN substrate for stable high-temperature operation
著者: Yafune, N.
Hashimoto, S.
Akita, K.
Yamamoto, Y.
Tokuda, H.
Kuzuhara, M.
キーワード: AlN
AIGaN
HEMT
発行日: 30-1月-2014
出版者: The Institution of Engineering and Technology
掲載誌: Electronics Letters
巻: 50
号: 3
資料タイプ: Journal Article
URI: http://hdl.handle.net/10098/8248
ISSN: 0013-5194
出現コレクション:01 雑誌等掲載論文

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