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タイトル: Current Collapse Suppression by Gate Field-Plate in AlGaN/GaN HEMTs Md.
著者: Hasan, Md. Tanvir
Asano, Takashi
Tokuda, Hirokuni
Kuzuhara, Masaaki
キーワード: AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMT)
current collapse,
field plate (FP)
ON-resistance
発行日: 2013
出版者: Institute of Electrical and Electronics Engineers
掲載誌: IEEE Electrpm Device Letters
巻: 34
号: 11
資料タイプ: Journal Article
URI: http://hdl.handle.net/10098/8216
ISSN: 0741-3106
出現コレクション:01 雑誌等掲載論文

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