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タイトル: Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped InxGa1-xN (x~0.3) grown on GaN/a-Al2O3(0001) template
著者: Yamamoto, Akio
Mihara, Akihiro
Shigekawa, Naoteru
Narita, Norihiko
発行日: 2013
掲載誌: Applied Physics Letters
巻: 103
資料タイプ: Journal Article
URI: http://hdl.handle.net/10098/8015
出現コレクション:01 雑誌等掲載論文

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