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University of Fukui Repository (UFR) >
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タイトル: Superior DC and RF Performance of AlGaN-Channel HEMT at High Temperatures
著者: HATANO, Maiko
YAFUNE, Norimasa
TOKUDA, Hirokuni
YAMAMOTO, Yoshiyuki
HASHIMOTO, Shin
AKITA, Katsushi
KUZUHARA, Masaaki
キーワード: AlGaN/GaN
HEMT
high temperature
発行日: 8月-2012
掲載誌: IEICE Trans. Electronics
巻: E95-C
資料タイプ: Journal Article
URI: http://hdl.handle.net/10098/7419
出現コレクション:01 雑誌等掲載論文

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