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福井大学工学部研究報告 1(1952)-54(2006) >
第40巻(1992) >

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タイトル: ピコ秒パルスレーザーによる超高速現象の測定(III) : 半導体(Si)の非線形吸収
その他のタイトル: Measurements of U1trafast Phenomena by a Picosecond Pulse Laser (III) -Nonlinear Absorption of a Semiconductor (Si)-
著者: 北島, 巌
岩澤, 宏
城下, 賢司
松井, 美憲
尾崎, 行雄
湯川, 正晃
岡井, 善四郎
K1TAZ1MA, Iwao
IWASAWA, Hiroshi
MATSUI, Yoshinori
YUKAWA, Masaaki
OKAI, Zenshiro
発行日: 3月-1992
掲載誌: 福井大学工学部研究報告
巻: 40
号: 1
資料タイプ: Departmental Bulletin Paper
記述: The nonlinear optical absorption was observed in silicon at 200°K and largcly at 300°K with a Q-switched Nd3十glasslaser pulses of 300ns duration and a Y AG lascr of 15ns, although not at 77°K. The transmission as a function of the incidcnt. lascr intensity was also measured with picosccond pulses of mode-locked glass lasers. 1n this case, the nonlincar absorption was scarcely found even at 300°K. However、theabsorption saturation was observed, while the refiection decrcased, corresponding to thc clcctron-hole plasma created along the path of the incident beam beyond the photon number of 5x1013/㎠pulse. Therefore, it may be considered that the nonlinear absorption comes from the stepwise absorption of the photo-excited electrons in the conduction band rather than the direct two-photon processes.
URI: http://hdl.handle.net/10098/3767
ISSN: 04298373


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