DSpace
 

University of Fukui Repository (UFR) >
310 大学院工学研究科・工学部 >
312 研究紀要(研究報告) >
福井大学工学部研究報告 1(1952)-54(2006) >
第44巻(1996) >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10098/3588

タイトル: NH3気流中でのGaAs(111)B表面の窒化挙動と化基板のInN成長用基板としての評価
その他のタイトル: Nitridation Behavior of GaAs(lll)B Surfaces in NH3 Flow and Evaluation of the Nitrided GaAs(lll)B as Substrates for MOCVD Growth of InN
著者: 山内, 康之
新谷, 智弘
大久保, 貢
橋本, 明弘
山本, 暠勇
YAMAUCHI, Yasuyuki
SIDN-YA, Tomohiro
OHKUBO, Mitsugu
HASHIMOTO, Akihiro
YAMAMOTO, Akio
発行日: 9月-1996
掲載誌: 福井大学工学部研究報告
巻: 44
号: 2
資料タイプ: Departmental Bulletin Paper
URI: http://hdl.handle.net/10098/3588
ISSN: 04298373
出現コレクション:第44巻(1996)

このアイテムのファイル:

ファイル 記述 サイズフォーマット
AN00215401-044-02-005.pdf7.97 MBAdobe PDF見る/開く

このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。

 

Valid XHTML 1.0! Powered by DSpace Software Copyright © 2002-2007 MIT and Hewlett-Packard - ご意見をお寄せください