DSpace
 

University of Fukui Repository (UFR) >
310 大学院工学研究科・工学部 >
312 研究紀要(研究報告) >
福井大学工学部研究報告 1(1952)-54(2006) >
第46巻(1998) >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10098/3402

タイトル: 陽極化成法を用いたill-V族化合物半導体子細線構造の作製とその評価
その他のタイトル: Fabrication and Characterization of Ⅲ-V Compound Semiconductor Vertical Quantum Wire Structures by Electrochemical Anodization
著者: 愛場, 喜孝
大久保, 貢
山本, 暠勇
橋本, 明弘
AIBA, Yoshitaka
OHKUBO, Mitsugu
YAMAMOTO, Akio
HASHIMOTO, Akihiro
キーワード: Vertical Quantum Wire
Electrochemical Anodization
発行日: 3月-1998
掲載誌: 福井大学工学部研究報告
巻: 46
号: 1
資料タイプ: Departmental Bulletin Paper
URI: http://hdl.handle.net/10098/3402
ISSN: 04298373
出現コレクション:第46巻(1998)

このアイテムのファイル:

ファイル 記述 サイズフォーマット
AN00215401-046-01-013.pdf9.89 MBAdobe PDF見る/開く

このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。

 

Valid XHTML 1.0! Powered by DSpace Software Copyright © 2002-2007 MIT and Hewlett-Packard - ご意見をお寄せください