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タイトル: Simulation of Tunneling Contact Resistivity in Non-polar AlGaN/GaN Heterostructures
著者: CHIKAOKA, Hironari
TAKAKUWA, Yoichi
SHIOJIMA, Kenji
KUZUHARA, Masaaki
キーワード: GaN
HEMT
potential barrier
contact resistance
tunneling current density
発行日: 1-5月-2009
出版者: 社団法人 電子情報通信学会
掲載誌: IEICE Transactions on Electronics
巻: E92-C
号: 5
資料タイプ: Journal Article
URI: http://hdl.handle.net/10098/2378
ISSN: 09168524
出現コレクション:01 雑誌等掲載論文

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