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タイトル: Marked Substrate-Surface Dependence of In Content Included in High-Temperature Grown InN
著者: ADACHI, Masato
SEKI, Akihisa
HASHIMOTO, Akihiro
YAMAMOTO, Akio
キーワード: In drop
InN
substrate surface
polarity
MOVPE
発行日: 30-11月-2000
出版者: The Institute of Pure and Applied Physics
掲載誌: Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
資料タイプ: Journal Article
シリーズ番号/レポート番号: IPAP Conference Series 1
URI: http://hdl.handle.net/10098/2226
出現コレクション:01 雑誌等掲載論文

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