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遠赤外領域開発研究 第1巻(2000)-第14巻(2013) >
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タイトル: Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体の内殻励起による可視‐紫外発光
その他のタイトル: Visible-UV Photoluminescence Spectra in Ⅲ-Ⅴ Nitride Semiconductors by Using Inner Shell Electron Excitation
著者: 浜田, 信吉
A.ASHIR
竹島, 弘太郎
福井, 一俊
直江, 俊一
平山, 秀樹
柴田, 智彦
三宅, 秀人
平松, 和政
HAMADA, S
TAKESHIMA, K
FUKUI, K
NAOE, S
HIRAYAMA, H
SHIBATA, T
MIYAKE, H
HIRAMATSU, K
発行日: 3月-2005
掲載誌: 遠赤外領域開発研究
巻: 6
資料タイプ: Research Paper
引用: 遠赤外領域開発研究, 第6巻, 2005, p.151-156
URI: http://hdl.handle.net/10098/1281
出現コレクション:第06巻(2005)

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